可進行動態(tài)及靜態(tài)顯影，適用于正性光刻膠、負(fù)性光刻膠及非感光性光刻膠，自動程序運行，可編程。

主要技術(shù)指標(biāo)：

顯影均勻性：

±3%以內(nèi)；

顯影分辨率：

0.6um；

基片尺寸：

Φ2" ~ Φ6" wafer ；